M27C256B-12F6

CMOS EV EPROM 32Kx8 120ns -40+85grCDIP28

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Scheda tecnica

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Dettagli

CMOS EV EPROM 32Kx8 120ns in contenitore DIP28. Maximum Random Access Time: 120ns. Programming Voltage: 12,75V. Reprogramming Technique: UV. Dimensions: 37.34 x 13.36 x 4.5mm. Maximum Operating Supply Voltage: 5,5V (Typical 5V). Range Temperature: -40+85gC.